Флэш-память Е-ММС с высокой плотностью и емкостью

Вслед за Toshiba компанией Micron Technology была анонсирована память е-ММС. Этот тип встроенной памяти будет широко применятся в мобильных устройствах пользовательской электроники.

Как и случае с продукцией Toshiba, новинка производства Micron будет иметь наивысшею плотность памяти, удовлетворяющей стандартам и доступной сегодня на рынке, а максимальная емкость такой памяти составит 32 Гб.

Память е-ММС Micron будет производится по техпроцессу 34 нм (MLC NAND) и обладать расширенным температурным режимом (от -400 С до +850 С), что позволяет использовать ее в различных приложениях (мобильные телефоны, PDA, автомобильная электроника и камеры).